مراحل تولید آی سی

 آی‌سی IC (Integrated Circuit)   یا مدار مجتمع  به مجموعه‌ای از مدارات الکترونیکی اطلاق می‌گردد .

که با استفاده از مواد نیمه رسانا (عموماً سلیسیم همراه با میزان کنترل شده‌ای ناخالصی) در ابعادی کوچک (معمولاً کمتر از یک سانتی‌متر مربع) ساخته می‌شود.

این مدارات معمولاً شامل دو یا سه نوع دستگاه الکترونیکی می‌باشند: مقاومت. خازن و ترانزیستور (مهم‌ترین آن‌ها ترانزیستور می‌باشد).

یک تراشه ممکن است ابعادی به اندازه یک اینچ در یک اینچ داشته باشد و حاوی ده‌ها میلیون عدد ترانزیستور باشد. گاهی روی یک تراشه که مساحت آن فقط چند میلیمتر مربع است هزاران عدد ترانزیستور سوار می‌شود.

هر تراشه معمولاً حاوی تعداد بسیار زیادی ترانزیستور می‌باشد که با استفاده از فناوری پیچیده‌ای در داخل یک لایه از سیلیکون همگون و با ضخامتی یکنواخت و بدون ترک تزریق شده‌اند.

فرایند ساخت یک تراشه الکترونیکی را می‌توان به چند مرحله کلی تقسیم کرد:

1- خالص سازی شن

شن، خاک و سنگ، به‌طور کلی پوسته زمین حاوی ۲۵٪ سلیسیم است که به صورت سیلیسیم دی‌اکسید (SiO2) در طبیعت یافت می‌شود. شن طی چندین مرحله پاکسازی می‌شود تا بتواند کیفیت لازم برای تولید نیمه هادی را بدست آورد و خلوص سلیسیم در آن به ۹۹٫۹۹۹٪ برسد یعنی که فقط ممکن است ۱ اتم از میان بیلیون‌ها اتم، غیر سیلیکونی باشد. به همچین کیفیتی، کیفیت درجه الکترونیک(Electronic Grade Silicon) گوییم.

2- ایجاد کریستال

لازم است ذکر شود که تولید یک قالب سیلیسیم ممکن است چند روز طول بکشد. استوانه حاصل گاهی تا ۱۰۰ کیلوگرم وزن دارد که به این استوانه‌ها شمش می‌گویند.

3- ویفر یا  تبدیل شمش به قرص سیلیسیم

شمش را به دقت به ویفرهای (wafer) به قطر ۰٫۱ اینچ برش می‌زنند.

4- لیتوگرافی یا  پوشش دهی Masking 

لاک نوری تحت تابش امواج فرابنفش قرار میگرد و با آن واکنش می‌دهد، واکنش شیمیایی که در این فرایند انجام می‌شود مشابه اتفاقی است که هنگام فشردن دکمه شاتر دوربین عکاسی برای مواد داخل فیلم عکاسی می‌افتد. هنگام استفاده از نور فرابنفش نورگیرها الگوهای مختلف مدار را در هر لایه ویفر ایجاد می‌کنند. لنز، اندازه تصویر نورگیرها را را کاهش و دقت آن را افزایش می‌دهد؛ بنابراین آنچه بر ویفر چاپ می‌شود چهار برابر نازکتر از الگوی نورگیر است. سپس لاک نوری با یک حلال خاص از روی ویفرها پاک می‌شود و نقش و نگارها مشخص خواهند شد.

5- کاشت یون(ion dropping)

دوباره لاک نوری با الگوی مشخصی روی ویفر می‌ریزد، سپس یون‌های با سرعت ۳۰۰٫۰۰۰کیلومتر در ساعت به ویفرها برخورد خواهند کرد و خواص شیمیایی ماده را تغییر می‌دهند و دوباره لاک نوری را پاک می‌کنند. اگر چه معمولاً صدها ریزپردازنده بر روی یک ویفر ساخته می‌شوند، این فرایندها تنها بر یک قسمت کوچکی از یک ریز پردازنده تمرکز می‌کند (بر روی یک ترانزیستور یا قسمت‌های وابسته آن). یک ترانزیستور به عنوان یک سوئیچ عمل می‌کند، جریان جریان الکتریکی را در یک تراشه کامپیوتر کنترل می‌کند. محققان ترانزیستورهای کوچک را توسعه داده‌اند بطوری‌که حدود ۳۰ میلیون از آن‌ها می‌توانند بر روی یک پین قرار بگیرند.

زدایش (Etching): برای حذف مقداری از مقاومت در برابر نور، از یک ماده شیمیایی استفاده و نوعی الگو تعیین می‌شود که می‌خواهیم در آن مناطق سیلیکون نوع n و p داشته باشیم.

6- از ترانزیستور تا تراشه

سه سوراخ در لایه عایق در بالای ترانزیستور ایجاد می‌شود. این سه سوراخ با مس پر می‌شود که اتصال به ترانزیستورهای دیگر را ممکن می‌سازد. ویفرها در این مرحله در محلول سولفات مس قرار می‌گیرند. یونهای مس روی ترانزیستور قرار می‌گیرند، به این فرایند آبکاری الکتریکی فلز نامیده می‌شود. یونهای مس از پایانه مثبت (آند) تا پایانه منفی (کاتد) که توسط ویفر ایجاد شده حرکت می‌کنند. پس از آبکاری یک لایه نازک مس روی ویفرها می‌نشیند.
مواد اضافی صیقل داده می‌شوند، لایه‌های مختلف فلزی برای اتصال در میان ترانزیستورهای مختلف ایجاد می‌شود. تیم‌های طراحی که قابلیت کارکرد پردازنده مربوطه را توسعه می‌دهند تعیین می‌کنند که چگونه این اتصالات باید سیم بندی شود. در حالی که تراشه‌های کامپیوتری به شدت نازک هستند، ممکن است در حقیقت بیش از ۲۰ لایه داشته باشند تا مدارهای پیچیده ایجاد کنند. سپس ویفر آماده برای اولین تست عملکرد است. ویفر به صورت قطعه بریده می‌شود. قطعاتی که پاسخ درست به الگوی تست پاسخ دادند برای بسته‌بندی ارائه می‌شوند.

آلایش (Doping): ویفرهای زدایش‌شده را با گازهای حاوی ناخالصی‌ها گرم می‌کنند تا نواحی سیلیکون نوع n و p ایجاد شوند. ممکن است پوشش‌دهی و زدایش بیشتری انجام شود.

منبع : ویکی پدیا

✨✨✨✨✨✨✨✨✨✨✨✨✨✨✨✨✨✨✨✨✨✨✨✨✨

سایر مقالات آی سی

✨✨✨✨✨✨✨✨✨✨✨✨✨✨✨✨✨✨✨✨✨✨✨✨✨

?  انواع  آی سی بر اساس سری شماره فنی آی سی :

✨✨✨✨✨✨✨✨✨✨✨✨✨✨✨✨✨✨✨✨✨✨✨✨✨

سخن نهایی مقاله آی‌سی سل :

در نهایت بر خود واجب می دانیم از اینکه وقت گرانبها خود را صرف بازدید و  مطالعه این مقاله نمودید کمال تشکر و قدردانی را داشته باشیم. در صورتی که مطالب مقاله برای شما مفید واقع گردیده خرسند می شویم ما را مورد بذل حمایت خود قرار داده و نظ رات ارزنده خود را در قسمت نظرات ارائه نمایید  و  در صورت تمایل « آی‌سی سل » را به  دوستان و آشنایان خود معرفی نموده و مطالب ما را اینجا یا  پیج اینستاگرام  اشتراک بگذارید. در نهایت کلام خود با آیه ای از کلام ا.. مجید به پایان می رسانیم:

وَ عِنْدَهُ مَفاتِحُ الْغَیْبِ لایَعْلَمُها اِلاّ هُوَ وَ یَعْلَمُ ما فِی الْبَرَّ وَ الْبَحْرِ وَ ما تَسْقُطُ مِنْ وَرَقَهٍ اِلاّ یَعْلَمُها وَ لا حَبَّهٍ فِی ظُلُماتِ الْاَرْضِ وَ لا رَطْبٍ وَ لا یابِسٍ اِلاّ فی کِتابٍ مُبین